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BSO207P H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 44µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO207P H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 44µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO207P H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 44µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

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圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 61POS WALL MT PINS
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